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《电力电子技术》习题答案（第四版，王
兆安，王俊主编）
目录
第1章
第2章
第3章
第4章
第5章
第6章
第7章
第8章
电 力 电 子 器
件
1 整流电 路
4直流斩波电 路
2交流电力控制电路和交交变频 电路 26逆变电
路
31 PWM控制技
术
35软开（代写文章：微信：13258028938）关技 术
4组合变流电 路
42 m
第1章电力电子器件
使晶闸管导通的条件是什么？
答使晶闸管导通的条件是 晶闸管承受正向阳极电压，
并在门极施加触发电流。或 uAK且uGK
维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管
导通变为关断？
答维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保 持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管导通变为关断，可利用外加电压和外电路的 作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即 降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波
形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各波形的电流平均
值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
4a)2454b)22c)2 图 1-43 图 1-43 晶闸管 导电波形
解a) Id1=1l1=122 n m4lsintd(t)=Im2lm(21) Im 2 n 24(lmsint)2d(t)=31 Im 42lm n b) Id2=1 n m4lsintd(t)=2(21) Im
2I2=1(lmsint)2d(t)=2lm43142
c)
I3=Id3=12 n 21lmd(t)=Im
4112I2d(t)=Im 22m1
上题中如果不考虑安全裕量，问1A的晶闸管能送 出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流 最大值Im1、Im2、Im3各为多少？
解额定电流I T(AV)=1A 的晶闸管，允许的电流有
效值I=157A，上题计算结果知 a) Im1b)
I ，l,
Id1 Im1
Id2 Im2
Id3=1 Im3=4c) Im3=2 I=314,
GTO 和普通晶闸管同为 PNPN结构，为什么 GTO能够
自关断，而普通晶闸管不能？
答: GTC和普通晶闸管同为 PNPN结构，P1N1P2和 N1P2N2
构成两个晶体管 V1 V2,分别具有共基极电流增益 1和2, 普通晶闸管的分析可得， ？1+2=1是器件临界导通的条
件。？1+2 1，两个等效晶体管过饱和而导通； ？1+2v 1 ,
不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为
GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同
GTO 在设计时2较大，这样晶体管 V2控制灵敏，易
于GTO关断；
GTO导通时的？1+2更接近于1,普通晶闸管？1+2,
而GTO则为？1+2, GTO勺饱和程度不深，接近于临界饱和， 这样为门极控制关断提供了有利条件；
多元集成结构使每个 GTO元阴极面积很小，门极和 阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小， 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
如何防止电力 MOSFE因静电感应应起的损坏？
答电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而 损坏。MOSFET勺输入电容是低泄漏电容， 当栅极开路时极易
受静电干扰而充上超过 ？2的击穿电压，所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点
2
一般在不用时将其三个电极短接；
装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所
有仪器外壳必须接地；
电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压 过高 ④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
IGBT、GTR GTO和电力 MOSFET勺驱动电路各有什么 特点？ 答（代写文章：微信：13258028938）IGBT驱动电路的特点是驱动电路具有较小的 输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专 用的混合集成驱动器。
GTR 驱动电路的特点是驱动电路提供的驱动电流有足 够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小 开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极 驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO 驱动电路的特点是GTO要求其驱动电路提供的驱 动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导 通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡 度要求
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